VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件，属于功率MOSFET（Metal Oxide
2024-09-29 09:50
超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。
2023-09-18 10:15
Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdmos是一种垂直结构
2024-09-29 09:49
VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，垂直双扩散金属氧化物半导体
2024-09-29 09:43
平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择？ 平面型VDMOS和超结型VDMOS是常见的金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)的不同设计类型。
2023-11-24 14:15
在过去的二十年间，MOSFET作为开关器件发展迅速。然而，由于MOSFET的通态功耗较高，导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限，被称为“硅极限”。为了突破这一限制，研发人员便引入了一种新型的半导体工艺——垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）。
2024-10-15 14:50
如图1所示，VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区，在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道，在栅极加压后沟道开启，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直地被漏极收集，图中S为源极，D为漏极，G为栅极。
2024-10-08 17:16
直流无刷电机的逆变器由六个功率VDMOS管和六个续流二极管组成，六个续流二极管分别寄生在这六个VDMOS管里，因而从控制器外面看只有六个VDMOS管。
2011-12-02 10:34
VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，垂直双扩散金属氧化物半导体
2024-09-29 09:47
DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET。
2011-12-01 11:15
