超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。
2023-09-18 10:15
Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdmos是一种垂直结构
2024-09-29 09:49
在过去的二十年间，MOSFET作为开关器件发展迅速。然而，由于MOSFET的通态功耗较高，导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限，被称为“硅极限”。为了突破这一限制，研发人员便引入了一种新型的半导体工艺——垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）。
2024-10-15 14:50
如图1所示，VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区，在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道，在栅极加压后沟道开启，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直地被漏极收集，图中S为源极，D为漏极，G为栅极。
2024-10-08 17:16
在变频器辅助电源或光伏逆变器中，辅助电源的主要作用是将DC高压降压后，为驱动IC、主控MCU、通讯模块芯片等供电。以380V系统的变频器为例，因辅助电源取电是380V整流后的高压输入，而整流滤波后的电压一般在550V左右，变频器辅助电源一般是反激设计，一般需要功率器件留有1.5-2.5倍的余量，以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V，故需要应用到1500V耐压的MOS管。光伏逆变器辅助电源中，由于母线电压和功率不同，一般会选用单管反激或双管反激拓扑，无论那种拓扑都离不开核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38
深圳银联宝充电器ic U7576通过HV高压引脚实时检测交流输入状态，市电断开时触发内部放电逻辑，集成了输出欠压(BOP)与输入掉电、X电容放电功能，解决了X电容放电电阻引起的待机损耗问题。采用SOP-8封装，HV引脚集成650V VDMOS，提升了耐压性能！
2025-04-18 15:58
有垂直（或纵向）(Vertical Diffused MOSFET, VDMOS）和横向（或水平） (Lateral Diffused MOSFET, LDMOS) 两种类型。
2024-01-16 09:45
超结MOSFET的优势在于其具有高耐压和低电阻的特点。相较于普通高压VDMOS，超结MOSFET的导通电阻远小，适用于高能效和高功率密度的快速开关应用。此外，超结MOSFET的额定电压越高，导通电
2024-11-27 09:28
），参考电压产生等PWM专用芯片必备的内电路。还具有三个特点，图腾柱式输出电路，输出电流可达1A，可直接驱动功率开关VDMOS管：具有内部可调整的参考电源。可以进行欠压锁定；这个带锁定的PWM，可以进行逐个脉冲的电流限制，也叫逐周（期）限制。
2018-03-30 16:32
