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VDMOS接近无限大的静态输入阻抗特性,非常快的开关时间,导通电阻正温度系数,近似常数的跨导, 高dV/dt。
2011-12-01 14:11
VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线形应用,VDMOS都是理想的功率器件,VDMOS主要应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器
2011-12-01 14:09
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件,属于功率MOSFET(Metal Oxide
2024-09-29 09:50
超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。
2023-09-18 10:15
Vdmos(垂直双扩散金属氧化物半导体)和MOS(金属氧化物半导体)是两种不同类型的半导体器件,它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdmos是一种垂直结构
2024-09-29 09:49
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,垂直双扩散金属氧化物半导体
2024-09-29 09:43
本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的范围内分析出最大电场位置的变化,为优化器件的性能起到指导作用。通过
2017-11-01 18:01
平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择? 平面型VDMOS和超结型VDMOS是常见的金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)的不同设计类型。
2023-11-24 14:15
功率VDMOS 器件的工作条件通常恶劣,因此其可靠性研究格外重要。本文总结了目前众多VDMOS 器件可靠性研究的结果,着重讨论了功率VDMOS 在高温大电压的工作环境下,关键电学参数的漂
2011-12-16 15:28
在过去的二十年间,MOSFET作为开关器件发展迅速。然而,由于MOSFET的通态功耗较高,导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限,被称为“硅极限”。为了突破这一限制,研发人员便引入了一种新型的半导体工艺——垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)。
2024-10-15 14:50