电子发烧友

VDMOS接近无限大的静态输入阻抗特性，非常快的开关时间，导通电阻正温度系数，近似常数的跨导， 高dV/dt。

2011-12-01 14:11

VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器

2011-12-01 14:09

VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件，属于功率MOSFET（Metal Oxide

2024-09-29 09:50

超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。

2023-09-18 10:15

Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdmos是一种垂直结构

2024-09-29 09:49

VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，垂直双扩散金属氧化物半导体

2024-09-29 09:43

本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响，并且在结构参数变化的范围内分析出最大电场位置的变化，为优化器件的性能起到指导作用。通过

2017-11-01 18:01

平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择？ 平面型VDMOS和超结型VDMOS是常见的金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)的不同设计类型。

2023-11-24 14:15

功率VDMOS 器件的工作条件通常恶劣，因此其可靠性研究格外重要。本文总结了目前众多VDMOS 器件可靠性研究的结果，着重讨论了功率VDMOS 在高温大电压的工作环境下，关键电学参数的漂

2011-12-16 15:28

在过去的二十年间，MOSFET作为开关器件发展迅速。然而，由于MOSFET的通态功耗较高，导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限，被称为“硅极限”。为了突破这一限制，研发人员便引入了一种新型的半导体工艺——垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）。

2024-10-15 14:50