### 2SK1838STL-E-VB 产品简介2SK1838STL-E-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于中电压和中功率应用。该型号具有
2024-07-17 16:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SK1838L-VB产品简介2SK1838L-VB是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET，采用TO251封装形式。该型号具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，适用于中功率
2024-07-17 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SK1838S-VB MOSFET 产品简介2SK1838S-VB 是一款高性能、单通道 N 型 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于中功率和中电流应用。其主要特点包括 250V
2024-07-17 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
特点低栅极电荷，实现快速切换•占地面积小-比TSOP-6小30%•ESD保护门•AEC Q101合格-NVTJD4001N•这些设备不含铅，符合RoHS标准应用•低压侧负载开关•锂离子电池供电设备-手机、PDA、DSC•降压转换器•水平移动
2025-02-20 12:00 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
特点AO6608结合了先进的沟槽MOSFET采用低电阻封装技术，提供极低的RDS（ON）。该设备非常适合负载开关和电池保护应用。•符合RoHS和无卤素标准
2025-02-11 11:39 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W29N08GV（8G位）NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供了一种存储解决方案。它非常适合将代码隐藏到RAM、固态应用程序和存储媒体数据，如语音、视频、文本和照片。该设备在2.7V至3.6V的单一电源上工作，在3V和20uA的CMOS待机电流下，有源电流消耗低至25mA。存储器阵列总计1107296256个字节，并被组织成135168
2024-03-28 11:14 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
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2022-07-12 10:26 深圳市港禾科技有限公司 企业号
5.0 V降至1.250 V。它专为便携式电池供电应用而设计，提供性能低功耗运行、快速启用等性能响应时间长，且压降低。该装置设计用于低成本陶瓷电容器并包装在TSOP中
2021-10-10 19:26 深圳市金和信科技有限公司 企业号
