与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似，通过源漏嵌入 SiGe 应变材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程PMOS的速度
2024-07-26 10:37
这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高RF应用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪声的影响。SiGe技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe技术在线性度方面
2006-05-07 13:41
引言 近年来，硅/硅锗异质结构已成为新型电子和光电器件的热门课题。因此，人们对硅/硅锗体系的结构制造和输运研究有相当大的兴趣。在定义Si/SiGe中的不同器件时，反应离子刻蚀法（RIE）在图案转移
2023-12-28 10:39
摘要 在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效
2022-06-20 15:27
SiGe整流器集肖特基整流器的效率与快速恢复二极管的热稳定性于一身，让工程师能够优化100-200V功率电路的设计，从而达到更高的效率。该器件面向汽车、服务器市场和通信基础设施中的应用。这款符合
2023-02-09 09:37
采用SiGe：C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品 恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe：C技术的产品，其QUBiC4 SiGe：C工艺技术可提供高功率增益和优
2010-05-24 11:06
, GAAFET）作为一种有望替代FinFET的下一代晶体管架构，因其能够在更小尺寸下提供更好的静电控制和更高的性能而备受关注。在制造n型GAAFET的过程中，一个关键步骤是在内隔层沉积之前对Si-SiGe堆叠纳米片进行高选择性的SiGe：Si蚀刻，以产生硅纳米片
2024-12-17 09:53
MAX2645 SiGE 2.45 GHZ LNA原理图
2009-08-05 15:12
SiGe (硅锗)技术是最近的一项技术革新，能同时改善接收机的功耗、灵敏度和动态范围。GST-3是新的基于硅锗技术的高速IC处理工艺，其特点是具有35GHz的特征频率(fT)。下面的典型前端框图(图1)中给出了用硅锗技术实现的混频器和低噪声放大器(LNA)可能达到的性能(1.9GHz)。
2023-06-09 14:11
SiGe推出集成式前端模块SE2600S SiGe半导体公司 宣布扩大其无线LAN和蓝牙(Bluetooth™) 产品系列，推出带有蓝牙端口的高性能单芯片集成式前端模块 (front end module, FEM) 产
2009-12-09 17:54
