SiGe整流器集肖特基整流器的效率与快速恢复二极管的热稳定性于一身，让工程师能够优化100-200V功率电路的设计，从而达到更高的效率。该器件面向汽车、服务器市场和通信基础设施中的应用。这款符合
2023-02-09 09:37
SiGe (硅锗)技术是最近的一项技术革新，能同时改善接收机的功耗、灵敏度和动态范围。GST-3是新的基于硅锗技术的高速IC处理工艺，其特点是具有35GHz的特征频率(fT)。下面的典型前端框图(图1)中给出了用硅锗技术实现的混频器和低噪声放大器(LNA)可能达到的性能(1.9GHz)。
2023-06-09 14:11
SiGe半导体公司(SiGe)宣布推出全球最纤薄的Wi-Fi系统功率放大器RangeChargerSE2523BU，采用侧高仅为0.5mm如纸张般纤薄的全新封装，集成了SiGe半导体业界领先的性能
2017-12-13 14:23
ADCLK905（单输入/单输出）、ADCLK907（双通道单输入/单输出）和ADCLK925（单输入/双输出）为超高速时钟/数据缓冲器，采用ADI公司专有的XFCB3硅锗(SiGe)双极性工艺制造。
2025-04-14 14:05
ADCLK905（单输入/单输出）、ADCLK907（双通道单输入/单输出）和ADCLK925（单输入/双输出）为超高速时钟/数据缓冲器，采用ADI公司专有的XFCB3硅锗(SiGe)双极性工艺制造。
2025-04-14 13:51
ADCLK905（单输入/单输出）、ADCLK907（双通道单输入/单输出）和ADCLK925（单输入/双输出）为超高速时钟/数据缓冲器，采用ADI公司专有的XFCB3硅锗(SiGe)双极性工艺制造。
2025-04-14 13:58
Toshiba公司推出的小型、低噪音放大器系列，在VHF-UHF宽带应用中能够提供良好的线性和低电流消耗，其中输入信号强度可能是变化的。新的SiGe 单芯片组合器件尤其适用于固定和移动地面调谐器应用，在这些方面可用来改进动态范围和限度减少失真，同时降低能耗和元件密度。
2021-02-22 10:48
ADCLK946是一款采用ADI公司专有的XFCB3硅锗（SiGe）双极性工艺制造的超快型时钟扇出缓冲器。这款器件设计用于要求低抖动性能的高速应用。 这款器件具有一个带中心抽头、差分、100
2025-04-11 10:31
ADCLK950是一款超快时钟扇出缓冲器，采用ADI公司专有的XFCB3硅-锗（SiGe）双极性工艺制造，设计用于要求低抖动的高速应用。
2025-04-11 09:43
IDT公司的F0424是600MHz-4200MHz SiGe大功率宽带RF放大器，组合低噪音（NF）和高线性性能，是器件可用在发送器和蔼接收器中。器件可工作单电压5V或3.3V，ICC正常电流
2019-05-01 07:58
