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电子发烧友网站提供《NCE N沟道增强型功率MOSFET NCE3010S数据手册.pdf》资料免费下载

2024-01-24 11:06

NCE0140KA，mos管的技术参数，产品手册，选型样本。

2016-03-14 09:53

NCE2305 NCE P通道增强模式电源 MOSFETNCE2305采用先进的沟槽技术，民信微提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。该设备民信微适用于作为负载开关或在

2023-10-10 21:50 民信微电子 企业号

NCE20P45Q规格书

2017-01-13 16:38

新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET新洁能NCE30P12S，一款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽技术，尽显卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性

2023-11-05 09:54 民信微电子 企业号

新洁能NCE3407是一款采用先进沟槽技术的NCE P通道增强模式电源MOSFET，民信微具备出色的RDS（ON）性能。该设备适用于作为负载开关或PWM应用。通用功能：* VDS = -30V，ID

2023-10-23 21:23 民信微电子 企业号

600V沟道FSII IGBT采用NCE专有的沟道设计和先进的FS（现场停止）第二代技术，具有优越的导通和开关性能，并易于并联运行；

2020-08-20 16:48

新洁能NCE4435 NCE P通道增强模式电源MOSFET SOP8新洁能NCE4435，这款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽技术，使你体验到极致的RDS（ON）性能，同时保持

2023-10-26 21:11 民信微电子 企业号

新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L新洁能NCE30P30K，全新升级，为您的高电流负载应用提供强大支持！采用先进的沟槽技术和设计，民信微我们

2023-11-03 20:39 民信微电子 企业号

新洁能NCE2301型NCEP通道增强模式电源MOSNCE2301型NCEP通道增强模式电源MOSFET采用先进的沟槽技术，具有优良的RDS（ON）性能，以及低栅极电荷和可低至2.5V操作的栅极电压

2023-10-11 21:25 民信微电子 企业号