电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>2301 品牌：

新洁能NCE2301型NCE P通道增强模式电源MOS NCE2301型NCE P通道增强模式电源MOSFET采用先进的沟槽技术，具有优良的RDS（ON）性能，以及低栅

2023-10-11 21:22 民信微电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>4435 品牌：

新洁能NCE4435 NCE P通道增强模式电源MOSFET SOP8新洁能NCE4435，这款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽技术，使你体验到极致的 RDS

2023-10-26 21:08 民信微电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>3401 品牌：

新洁能NCE3401，引领行业先锋，采用先进的沟槽技术，带给您前所未有的RDS（ON）优良性能。低栅极电荷，栅极电压低至2.5V，轻松操作。无论是作为负载开关还是PWM应用程序中的一环，新洁能

2023-10-24 21:20 民信微电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>2305 品牌：

NCE2305，这是一款独一无二的电源 MOSFET，采用了尖端的沟槽技术，为追求卓越性能和高效应用的 你提供无与伦比的解决方案。其出色的RDS（ON）特性，民信微低栅极电荷以及极低的栅极

2023-10-10 21:48 民信微电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>3407 品牌：

新洁能NCE3407是一款采用先进沟槽技术的NCE P通道增强模式电源MOSFET，民信微具备出色的RDS （ON）性能。该设备适用于作为负载开关或PWM应用。通用功能：* VDS

2023-10-23 21:22 民信微电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>30P30K 品牌：

新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L新洁能NCE30P30K，全新升级，为您的高电流负载应用提供强大支持！采用先进的沟槽技术和设计， 民信微

2023-11-03 20:38 民信微电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>6050KA 品牌：

特点NCE6050KA采用先进的沟槽技术设计提供具有低栅极电荷的优异RDS（ON）可用于各种各样的应用。 描述●VDS=60V，ID=50ARDS（ON）

2025-02-20 10:41 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>4606 品牌：

NCE4606——引领电力MOSFET技术的潮流NCE4606，一款卓越的MOSFET，沟槽技术使其在电源领域中展现出卓越的性能。其低栅极电荷和优良 的RDS（ON）为您的设备提供更流畅

2023-11-08 20:44 民信微电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>30P12S 品牌：

新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET新洁能NCE30P12S，一款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽技术，尽显卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性

2023-11-05 09:53 民信微电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NCE</b>0117-VB 品牌：微碧

型号：NCE0117-VB丝印：VBM1101M品牌：VBsemi参数：- N沟道- 额定电压：100V- 最大电流：18A- 开态电阻 (RDS(ON))：127mΩ @ 10V, 132m

2023-12-15 10:24 微碧半导体VBsemi 企业号