随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术
2020-08-04 17:24
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力;以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。 MRAM的存储原理 MRAM
2020-12-09 15:54
MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-08 15:01
MRAM可能是非易失性存储技术的下一个大事件。该技术利用了磁性材料的相对极性和电阻之间的关系。本质上，当两个磁铁靠近时，它们的电阻会发生变化，这取决于它们的磁极相对于另一个磁极的位置。
2022-07-25 16:04
本文旨在讨论各种MRAM的技术路径，其中包括磁场驱动型、自旋转移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋轨道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、电压控制磁
2022-09-29 15:30
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性
2020-04-09 09:13
电子发烧友网报道（文/周凯扬）磁性随机存储器（MRAM）已经有了多年的发展历史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton两人在霍尼韦尔打造出了首个磁阻存储器设备
2022-11-29 07:15
电子发烧友网报道（文/周凯扬）磁性随机存储器（MRAM）已经有了多年的发展历史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton两人在霍尼韦尔打造出了首个磁阻存储器设备
2022-11-29 09:25
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面. (1)底部电极的形成(参考图1)：经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要
2020-04-07 17:46
在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。
2022-11-17 14:32
