MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45
FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取时间的周期。
2020-06-04 17:09
IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33
半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 （MRAM） 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT
2018-05-29 15:42
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。 半导体行业著名机构IMEC在
2019-04-22 15:51
长久以来，我们这些缺乏耐性的人，一直期待着所有消费电子产品的开机时间能尽量缩短，愈快愈好。刚刚才打入消费市场的固态硬盘（SSD），已经能大幅缩减用户等待开机或将机
2012-04-13 09:33
ReRAM之前曾经因为HPE的“The Machine”热过一阵，记得在2016年的NVM Summit上，Sandisk的人信心满满的谈和HPE的合作，他们觉得Samsung因为自己有128G的DIMM 产品，对于NVM的进展不关心，因此希望ReRAM可以成为挑战Intel 3DXpoint的最强劲的对手。
2018-08-16 15:22
在IBM新一代的FlashSystem存储设备中，将利用磁阻RAM（MRAM）来做写缓存，而不再使用传统的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存储器技术之一，但
2018-12-02 09:31
新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器，最主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41
随着相变存储器 (PCM)、STT-MRAM、忆阻器和英特尔的 3D-XPoint 等技术的快速发展，高速的、可字节寻址的新兴 NVM 的产品逐渐涌现于市场中
2023-11-14 09:28
