Power 半导体装置 - MOSFETs, IGBTs
2023-08-14 17:27
就可以保持相当不错的均衡性，这使得并联连接相对容易，因此并联连接MOS比并联双极晶体管更容易。功率MOS具有优异的热稳定性，不会发生热失控，所以并联功率MOSFETS是一种减少传导损耗和分散功耗以限制最大结温的常用方法，本节主要介绍在各种应用场景中使用并联功率MOSFET
2024-10-15 14:30
随着现代低压应用的发展，Littelfuse P沟道功率MOSFET满足了当今电力电子不断发展所需的通用功能。Littelfuse P沟道MOSFETs的广泛应用，为工业和汽车应用设计工程师提供了更
2024-04-07 18:29
LTD（简称：智路资本）联合投资下，拥有前恩智浦部门所累积的专业知识、制造资源和主要员工，并致力于开拓产品新重点的承诺，成为独立的世界级分立器件 （Discrete）、逻辑器件（Logic） 和MOSFETs 领导者。
2017-02-08 15:23
电子负载，线性稳压器或A类放大器等应用程序在功率MOSFET的线性区域内运行，这需要高功耗能力和扩展的正向偏置安全工作区（FBSOA）特性。这种工作模式与通常使用功率MOSFET的方式不同，后者在开关模式应用中的作用类似于“开-关开关”。在线性模式下，由于同时发生高漏极电压和电流，导致高功耗，功率MOSFET承受高热应力。当热电应力超过某个临界极限时，硅中会出现热热点，从而导致器件失效[1]。 图1 N沟道功率MOSFET的输出特性 图1显示了N沟道功
2021-05-27 11:13
从20Hz到20Khz（主要音频范围！）几乎平坦的响应（从低端和高端大约降低了-0.5dB）。一旦出现失真，它就会不对称，主要表示二次谐波失真，对香料的FFT分析表明，对于100Hz正弦波，主要是二次谐波，导致更“管状”的声音。33R串联电阻的未失真输出功率约为32mW。 。输出电压摆幅约为3v PP。
2019-09-28 16:38
近日，扬杰科技推出了专为PC主板应用设计的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。该产品采用了先进的SGT技术，具有出色的电气性能。
2024-10-12 15:59
纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者，近日正式推出了其最新研发的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs产品系列，包括650V和1200V两大规格。
2024-06-11 16:24
使用 TMC5160 控制 / 驱动智能 IC 使步进电机性能更强大 将内置 MOSFETs 的 TMC2100 ， TMC2130 和 TMC5130 系列扩展应用到更大，更高电流的步进电机
2018-05-14 11:41
体积如此之小的设备，一个关键的考虑点是如何使用表面装配技术（SMT）将FemtoFET与面板连接。设备面板的焊盘距离是影响客户SMT设备能否处理组合产品的关键因素。大多数的高容量个人电子产品制造商拥有可以处理最小0.35mm焊盘距离的SMT设备，但部分工业用客户的SMT设备最小焊盘距离仅能到0.5mm。
2023-04-12 09:52
