就可以保持相当不错的均衡性，这使得并联连接相对容易，因此并联连接MOS比并联双极晶体管更容易。功率MOS具有优异的热稳定性，不会发生热失控，所以并联功率MOSFETS是一种减少传导损耗和分散功耗以限制最大结温的常用方法，本节主要介绍在各种应用场景中使用并联功率MOSFET
2024-10-15 14:30
通过对多种情况的分析和比较，可以得出许多关于提供LFPAK MOSFETs散热片冷却的最佳方式的结论。
2020-10-10 11:38
基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管（MOSFETs）为电力转换开关设备的性能优化系数（FOM）带来了显著提升。这让系统性能得以凸显，提高了多种应用的效率和功率密度，并降低了整体系统的成本。
2023-12-01 14:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势，为电力电子产业带来了革命性的变化。然而，GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅极驱动器和控制器的发展。因此，电路设计师经常转向为硅MOSFETs设计的通用栅极驱动器，这就需要仔细考虑多个因素以实现最佳性能。
2024-02-29 17:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
TRINAMIC TMC5160是一款高功率步进电机控制器和驱动器IC，带串行通信接口。该器件结合了一个灵活的斜坡发生器，用于以先进的步进电机驱动器实现自动目标定位且外置MOSFETs带有
2019-05-14 14:55
电力半导体的进步并不完全取决于节点尺寸的减小。硅电力开关，如MOSFETs和IGBTs，被设计用来处理12V到+3.3kV的电压和数百安培的电流。这些开关管理着大量的电力！然而，他们的能力有限，这正
2023-12-02 11:30 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
一个良好的功率电路不仅由静态器件如SiC和GaN MOSFETs组成，还包含了门极驱动器。这是一个独立的元素，位于电子开关之前，确保以最佳方式为其提供驱动能量。实际上，不能仅仅将方波或矩形波直接
2023-12-24 11:30 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
