### 一、产品简介21N65M5-VB TO263 是 VBsemi 生产的一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO263，适用于高压、高功率的电源开关和电机驱动等应用。采用多重外延结构
2024-07-09 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介VBsemi 80N20M5-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装，设计用于高性能电源管理和开关电路应用。具有200V的最大漏源电压和低导通电阻，适合在需要处理高
2024-11-21 15:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3510A-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-263 封装。具有 100V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），阈值电压为 2.5V。其导通电
2024-11-06 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介3508A-VB 是一款采用 TO263 封装的单N沟道MOSFET。它设计用于需要高电流和中等电压的开关和放大电路，具有80V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压
2024-11-06 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
）（±V），3V的阈值电压（Vth），48mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及40A的漏极电流（ID）。采用了沟道技术（Trench Technolo
2024-07-08 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
100N03A-VB是一款TO263封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），在VGS=4.5V时的导
2024-07-04 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
）**：±30V- **Vth（阈值电压）**：3.5V- **RDS(ON)（导通电阻）**：160mΩ @ VGS=10V- **ID（漏极电流）**：20A- *
2024-07-10 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi 200N6F3-VB TO263 MOSFET产品简介：VBsemi的200N6F3-VB TO263是一款TO263封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有60V的漏极-源极电压
2024-07-09 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi 18P06P-VB TO263 MOSFET产品简介：VBsemi的18P06P-VB TO263是一款TO263封装的单通道P沟道MOSFET。该产品具有-60V的漏极-源极电压
2024-07-08 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20N65M5-VB TO263 产品简介20N65M5-VB TO263 是一款高性能的单N沟道MOSFET，具有高漏极电压和电流处理能力。采用了SJ_Mul
2024-07-09 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
