当在漏极和源极短路的情况下在栅极和源极之间施加指定电压时产生的漏电流
2022-11-14 10:54
负载开关基本电路及发展概况 负载开关基本电路 功率MOSFET是一种具有良好开关特性的器件：导通时其导通电阻RDS(ON)很小；在关断时其漏电流IDSS很小。另外，它的耐压
2009-12-12 11:48
），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高；
2023-11-23 17:38
场效应管的主要参数 : Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up — 夹断电压.是指结型或耗尽
2009-11-09 14:31
制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有 输 入 / 输 出 特 性 曲 线、阈 值 电 压 VGS(th)、漏 电 流 IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。
2022-12-09 15:01
车联网(V2X)通过将其他设备与移动的车辆联系起来，使运输系统更加智能，但它也带来了地理动态入侵问题，而现有的车辆入侵检测系统(IDSs)只是部署了预设的静态策略。区块链作为一种新型的安全技术，可以
2021-04-28 17:26
车联网(V2X)通过将其他设备与移动的车辆联系起来，使运输系统更加智能，但它也带来了地理动态入侵问题，而现有的车辆入侵检测系统(IDSs)只是部署了预设的静态策略。区块链作为一种新型的安全技术，可以
2021-04-28 17:31
(on)：导通电阻 RDS(on)是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。 IDSS：零栅压漏极电流 IDSS是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间
2018-12-04 11:37
和瞬态功率两种。直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热●导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）●由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比极小）瞬态
2018-11-09 15:00
级电路原理，差分排动级原理如阁7-26所示。差分输入级采用场效应挛生模块NPD5565S，其参数为VDss=55V，iDss=6～15mA，其输入特性非常好（高输入阻抗），如无NPD5565S，也可用
2006-04-15 13:11
