eg:用晶体管特性图示仪测试IDSS,gfs.(N沟道增强型MOS，DW4822特性图示仪）IDSS: VDS=100V,VGS=0V,MAX 1uAMOS的G,D,S和E,B,C怎么接，x/y轴
2012-05-03 18:34
如图，是N沟JFET的传输特性，按理论说最大漏源饱和电流IDSS就是VGS等于零时候的值，但是在实际的应用中，当VGS稍微大于零的情况下，IDSS有一小部分的增长。因此，JFET可应用于小信号的零
2017-11-06 14:36
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID电流最大100A，VDS电压高至1500V， 求推荐生产厂家和设备型号。谢谢。
2021-05-06 09:57
请问multisim里面场效应管的参数表里面IDSS是哪个啊？我感觉都不是啊。如果没给，静态工作点根本就不知道啊。
2020-05-09 17:53
使用时上要比晶体管简单方便的多，下图是利用晶体管构成的恒流源电路。稳压二极管恒流我们可以看到晶体管组成的电路中需要依赖稳压二极管来完成，而JFET则不需要。但是由于JFET的Idss具有一定的分散性
2019-12-06 08:52
MOS型号推荐需要PMOS和NMOS，封装SC-70-3或SOT23，特别关注Vth开启电压、Idss漏电流、导通内阻Ron这三个指标越小越好。有很多型号没用过就不清楚优势在哪里。有没有合适的型号推荐？用在电池供电的设备中，电池电压3-4.2V，MOS门极受MCU控制，MCU输出逻辑电平0V，3.3V
2021-09-29 17:07
控制PMOS的输出。NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的，重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS，一般小于多少才算是极低的漏电流？
2021-10-12 16:45
以下主要参数：饱和漏源电流IDSS夹断电压Up，（结型管和耗尽型绝缘栅管，或开启电压UT（加强型绝缘栅管）、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、耗散功率PDSM和漏源电流IDSM。（1）饱和漏源电流饱和漏
2019-04-04 10:59
,'color','w') title('参与辩识的数据'); m1=n4sid(IDataXY,[1:10],'ssp','can');mss=idss(m1) A=m1.a; B=m1.b; C
2012-05-19 12:58
(VDS = 5V) 典型 IDSS 为 35mA，保证限值为 24mA 至 46mA 集成钳位二极管。如果不使用，可以将其悬空。 低量采购则单价约为 2 美元，现可在 TI store 购买
2024-10-09 09:13
