GaAs工艺中也可以像传统的Si工艺一样集成无源和有源器件，但GaAs在某些方面会比Si工艺有优势，尤其是高频应用。
2023-07-11 10:42
为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器，它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法，包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57
为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器，它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法，包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-02-17 16:41
AMCOM砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）是一种专门用于高频、超高频和微波射频放大电路的场效应晶体管。 AMCOM射频晶体管GaAs FET的频率范围跨越电磁辐射谱，从30 MHz到红外波段
2020-09-17 11:42
随着5G建设逐步展开，射频器件使用量较4G时代倍增，预料将带动GaAs射频器件市场于2020年起进入新一波成长期。
2019-07-11 11:44
本文主要阐述我们华林科纳在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素
2022-07-12 14:01
互补式金属氧化物半导体功率放大器（CMOS PA）与砷化镓（GaAs）PA方案战火愈演愈烈。CMOS PA正挟尺寸及成本优势于中低价手机市场攻城掠地，市占可望提升至15%～20%，而GaAs PA
2013-10-08 09:31
但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31
在图案化的抗蚀剂上溅射或蒸发金属，然后剥离金属，传统上用于在砷化镓晶片处理中定义互连，在剥离工艺中，首先在衬底上沉积并图案化诸如光致抗蚀剂的牺牲材料，然后将金属沉积在顶部，随后通过暴露于溶剂浸泡和喷涂来移除牺牲材料，仅留下直接沉积在衬底上的材料，这些工艺可用于在不影响衬底上的下层材料的情况下图案化不能被蚀刻的材料。如今，大多数金属剥离工艺都是在带有兆声波的湿式工作台、喷涂系统或使用CO2的干式系统中完成
2022-06-27 17:21
在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低温冷却，但低噪声放大器的良好性能，提供了一种被实践所验证的可靠的
2011-12-09 14:40
