为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器，它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法，包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57
但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31
GaAs晶圆作为常用的一类晶圆，在半导体功率芯片和光电子芯片都有广泛应用。而如何处理好该类晶圆的清洗和进一步的钝化工作是生产工艺过程中需要关注的点。
2024-10-30 10:46
HMC1106是一款双平衡混频器，可作为上变频器或下变频器，IF端口范围为DC至24 GHz，LO端口为20至50 GHz，RF端口为15至36 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs
2025-04-01 11:48
HMC1081是一款双平衡混频器。 它可用作上变频器或下变频器，IF端口频率范围为DC至26 GHz，RF端口频率范围为50至75 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管
2025-04-01 11:38
摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料对GaAs功率芯片与MoCu基板进行焊接，分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响，给出了GaAs芯片共晶焊的工艺参数控制要求，通过扫描电镜及能谱仪
2023-07-15 14:01
砷化镓（GaAs）材料在无线通信、光传输、消费电子（如3D人脸识别）和太阳能电池等领域获得广泛应用。前几期已经介绍过砷化镓在射频领域的相关情况，本期1°姐将为大家继续介绍GaAs太阳能电池产业链的具体情况。
2018-07-06 11:11
根据GaAs光电阴极制备工艺的要求，我们设计了如图1所示的GaAs光电阴极制备测控系统原理框图。该测控系统由三大部分构成：超高真空激活系统、计算机和外围测控设备，其中超高真空激活系统是用于GaAs
2020-05-03 10:31
碳化硅（SiC）或砷化镓（GaAs）。到目前为止，GaAs功率器件主要在300 V以下使用，而PFC等600 V应用被认为是SiC器件的理想选择。但是现在，新一代600 V GaAs功率肖特基器件被证明是一种经济高效
2021-05-27 15:30
