SE-EPI的DWI 与 FSE 相比有两个主要不同点：1.弥散梯度；2. EPI采集。其中弥散梯度已经向大家介绍了，下面将向大家介绍EPI采集时其化学位移的特点。
2023-02-28 10:54
DWI还常用EPI作为其信号编码和读取的方式。虽然也有一些DWI序列使用了单次激发或Propeller等采集信号
2022-12-28 18:03
正如之前的报道所说，欧盟之前曾经提出一个欧洲处理器计划（European Processor Initiative ：简称EPI）。根据该计划，欧洲将独立开发创新型超级计算机和数据生态系统战略计划的重要一环，这确保欧洲拥有高端芯片设计的核心竞争力，这也是许多应用领域的关键点。
2020-11-10 14:25
如果Ⅰ类化学位移发生在频率编码方向，那么与之对应的Ⅱ类化学位移就应该在相位编码方向了。
2023-02-20 09:23
氮化镓已成为事实上的第三代半导体材料。然而，以您需要的质量和所需的热阻制造 GaN 晶圆是晶圆厂仍在努力克服的挑战。
2022-07-29 15:26
荷兰的恩智浦，德国的意法半导体、英飞凌以及博世在混合信号/模拟/传感器世界中占有很大的市场份额。博世在传感器方面尤其强大，英飞凌和NXP在汽车领域处于有利地位，英飞凌更专注于电力电子，而恩智浦则更专注于车载通信/ MCU。
2020-11-05 13:40
工业控制计算机是工业自动化设备和信息产业基础设备的核心。传统意义上，将用于工业生产过程的测量、控制和管理的计算机统称为工业控制计算机，包括计算机和过程输入、输出通道两部分。但今天的工业控制计算机的内涵已经远不止这些，其应用范围也已经远远超出工业过程控制。
2021-01-20 10:12
由于衬底和外延和芯片的技术发展相关性不是特别大，所以我单独把这两个流程拿出来和大家分享，接下来的芯片技术发展比如MOSFET的平面结构或者沟槽结构都是直接在外延层里加工。
2023-02-02 15:16
厚度以及一致性 掺杂和一致性 表面缺陷快速检测和标识追踪能力 底部缺陷快速检测和标识追踪能力 控制扩展缺陷 清洗 大尺寸的晶圆翘曲度的控制
2023-02-07 12:02
对于常规VDMOS 器件结构， Rdson 与BV 这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI 参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI 参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson 就大了。Rdson直接决定着MOS 单体的损耗大小。
2017-11-29 08:47
