**: SJ_Multi-EPI2SK1316L-VB是一款高压、低功率的单N沟道MOSFET，封装形式为TO251。采用SJ_Multi-EPI技术，具有高电压承受能力和适中的导通电阻，适用于
2024-07-16 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
**: SJ_Multi-EPI2SK1533-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO220。具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适用于各种高压电路设计。##
2024-07-17 11:57 微碧半导体VBsemi 企业号
（SJ_Multi-EPI）2SK1456-VB是一款高压、单N沟道MOSFET，采用多重外延平面结构（SJ_Multi-EPI）技术，封装形式为TO220。具有较高的漏源
2024-07-16 17:16 微碧半导体VBsemi 企业号
SJ_Multi-EPI技术，结合多重EPI工艺，提供较低的导通电阻和优良的功率特性，非常适合高电压和中等电流的应用。### 二、65E6600-VB详细参数说明| 参数 |
2024-11-16 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
SJ_Multi-EPI技术，结合多重EPI工艺，提供较低的导通电阻和优良的功率特性，适合要求高电压和中等电流应用的设计需求。### 二、65E6190-VB详细参数说明|
2024-11-16 14:18 微碧半导体VBsemi 企业号
SJ_Multi-EPI技术，结合多重EPI工艺，以提供低导通电阻和高效能特性。### 二、65F660-VB详细参数说明| 参数 | 数值 | 备注 || --- | --
2024-11-16 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
**: SJ_Multi-EPI2SK1342-VB是一款高压、中功率的单N沟道MOSFET，封装形式为TO3P。采用SJ_Multi-EPI技术，具有高电压承受能力和适中的导通电阻，适用于需要在高
2024-07-16 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
SJ_Multi-EPI技术，结合多重EPI工艺，提供较低的导通电阻和优良的功率特性，适合要求高电压和中等电流应用的设计需求。### 二、65C6280-VB详细参数说明|
2024-11-16 13:56 微碧半导体VBsemi 企业号
**: SJ_Multi-EPI2SK1165-VB是一款高压、高功率的单N沟道MOSFET，封装形式为TO3P。采用SJ_Multi-EPI技术，具有高电压承受能力和低导通电阻的特点。适用于需要在
2024-07-16 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介7N95K3-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装，适用于高电压和中功率应用。该器件采用SJ_Multi-EPI技术，结合了多重外延（Multi-EPI）工艺
2024-11-21 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号
