英特尔是三者中最早演示 CFET 的，早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。这一次，英特尔报告了围绕 CFET 制造的最简单电路（inverter）的多项改进。CMOS inverter 将相同的输入电压发送到堆栈中两个器件的栅极，并产生与输入逻辑相
2023-12-19 11:15
英特尔则是认为可以使用一种GAA FET的最新形态——堆叠式CFET场效应管架构。这种架构的集成密度进一步提升，将n型和p型MOS元件堆叠在一起，可以堆叠8个纳米片，比RibbonFET多一倍。
2023-12-02 15:54
