，10埃）开始一直使用到A7代。 从这些外壁叉片晶体管的量产中获得的知识可能有助于下一代互补场效应晶体管（CFET）的生产。 目前，领先的芯片制造商——英特尔、台积电和三星——正在利用其 18A、N2
2025-06-20 10:40
还放置一层不到10nm的绝缘膜，以防止缺陷的出现。比利时微电子研究中心曾预计叉形片将在2028年得到采用，当然也可能会直接跳跃到CFET技术。 CFET是先在叉形片上将NFET和PFET的两个晶体管按
2025-09-06 10:37
会减半。这一规律最初由英特尔公司创始人之一戈登·摩尔在1965年提出，至今已成为了计算机工业的基石。（百度到的，不了解的可以自行去了解下） 1、晶体管架构从FinFET到CFET FinFET：目的
2025-09-15 14:50
创新 这部分深入剖析了推动芯片性能跃升的工艺创新，从晶体管架构到颠覆性制造技术，展现了后摩尔时代的突破路径。 在传统工艺升级上，晶体管架构正从FinFET向CFET（互补场效应晶体管）演进，通过三维堆叠
2025-07-28 13:54
