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型号：<b class='flag-s-7'>AP4525GEH</b>-VB 品牌：微碧

型号：AP4525GEH-VB丝印：VBE5415品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N+P沟道- 额定电压：±40V- 最大持续电流：50A / -50A- 静态导通电阻 (RDS

2023-12-22 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>4525GEH</b>-VB 品牌：微碧

### 一、4525GEH-VB 产品简介4525GEH-VB是一款高性能的共源N+P通道MOSFET，采用TO252-4L封装。它集成了一个N沟道和一个P沟道的MOS

2024-11-11 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>AP4525GEH</b> 品牌：百域芯

Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFETN-Channel: 40V, 30A, 24mΩ P-Channel: -40V, -30A, 30m

2022-01-06 14:30 深圳市百域芯科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>AP4521GEH</b>-VB 品牌：微碧

### AP4521GEH-VB 产品简介AP4521GEH-VB 是一款双N+P沟道共源结构的功率MOSFET，采用TO252-4L封装，适合需要同时控制正负沟道的应用设计。该器件具有低导通电

2024-12-19 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>AP4525</b>GEM-VB 品牌：微碧

**VBsemi AP4525GEM-VB**- **产品型号：** AP4525GEM-VB- **丝印：** VBA5638- **品牌：** VBsemi- **参数：** 

2024-03-14 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>AP4543GEH</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP4543GEH-HF-VB 产品简介AP4543GEH-HF-VB 是一种高效的 MOSFET 器件，采用 TO252-4L 封装，具有共漏极 N+P 通道配置。该器件设计用于需要高电流

2024-12-20 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>AP4506GEH</b>-VB 品牌：微碧

### AP4506GEH-VB 产品简介AP4506GEH-VB 是一款双通道共源 N+P-Channel MOSFET，采用 TO252-4L 封装，适合于高压应用环境。该器件结合了

2024-12-19 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>AP3402GEH</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介AP3402GEH-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用Trench技术设计，具有低导通电阻和高电流承载能力。其TO252封装形式适合中等功率应用，提供了良好的散热性能和机械强度

2024-12-17 15:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>AP9965GEH</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介AP9965GEH-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用了先进的 Trench 技术制造。其设计用于高电流和低导通电阻的需求，适合在各种工业和电子设备中应用。封装

2024-12-26 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>AP4455GEH</b>-HF-VB 品牌：微碧

### 一、AP4455GEH-HF-VB 产品简介AP4455GEH-HF-VB 是一款单 P-Channel MOSFET，采用 TO252 封装。它采用了沟槽（Trench）技术，具有低导通电

2024-12-19 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号