AP4525GEH-N&P沟道-40VMOS-BYCHI产品资料
2022-01-07 15:01
AP4525GEH-A - NAND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET - Advanced Power Electronics Corp.
2022-11-04 17:22
AP4525GEH_08 - N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET - Advanced Power Electronics Corp.
2022-11-04 17:22
型号：AP4525GEH-VB丝印：VBE5415品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N+P沟道- 额定电压：±40V- 最大持续电流：50A / -50A- 静态导通电阻 (RDS
2023-12-22 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号
电子发烧友网为你提供TE(ti)4525DO-SS3AS015AP相关产品参数、数据手册，更有4525DO-SS3AS015AP的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，4525DO-SS3AS015AP真值表
2021-08-21 00:00
### 一、4525GEH-VB 产品简介4525GEH-VB是一款高性能的共源N+P通道MOSFET，采用TO252-4L封装。它集成了一个N沟道和一个P沟道的MOS
2024-11-11 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
AP3402GEH - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET - Advanced Power Electronics Corp.
2022-11-04 17:22
DualN&P-ChannelPowerTrench®MOSFETN-Channel:40V,30A,24mΩP-Channel:-40V,-30A,30mΩFeaturesn-channVDS(V)=40V,ID=30A(VGS=10V)RDS(ON)
2022-01-06 13:35 深圳市百域芯科技有限公司 企业号
AP02N40H AP02N40J datasheet,pdf(N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET) AP02N40 us
2010-03-23 16:03
大型桥梁、建筑结构、风工程、风压、绝压。在压力测量中，常用表压来描述压力值的大小，即以当地大气压为参考点的压力值。 对于实际建筑结构的风压测量，传感器背面的压力是变化的（当地大气压），使用绝压法测量压力可能是更好的方法。4525DO-SS3AS015AP传感器采用绝压法， 稳定准确的风压测量
2023-05-12 11:37 广州工控传感科技有限公司 企业号
