ADuM360N/ADuM362N 是基于 6 通道数字隔离器的 基于 Analog Devices， Inc. 的 iCoupler^®^ 技术。结合高 速度、互补金属氧化物半导体 （CMOS
2025-05-29 10:02
一、内存模组n/a问题概述 1.1 内存模组的定义 内存模组，又称为RAM（Random Access Memory），是计算机系统中用于存储数据的硬件设备。它允许处理器快速访问和处理数据，从而
2024-10-14 10:44
仁懋电子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高输入阻抗及RoHS合规性，广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域
2025-11-04 15:59 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用， PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
2019-05-14 15:08
0～360°移相电路原理详解
2022-11-07 14:23
仁懋电子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-06 16:12 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
一、距离d和RSSI的计算公式d=10^((ABS(RSSI)-A)/(10*n))其中d为距离，单位是m。RSSI为手机接收到蓝牙信标的信号强度，为负数。A为手机距离蓝牙信标1m时接收到的RSSI
2024-05-21 20:13 深圳市极光通信科技有限公司 企业号
仁懋电子（MOT）推出的MOT4N65D是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高开关速度、稳定雪崩能力及650V耐压特性，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-10-30 14:53 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
仁懋电子（MOT）推出的MOT4N70C是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借700V耐压、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-10-28 17:48 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
