### 产品简介360N15NS3-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8(5X6) 封装。具有 150V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS),阈值电压为 3V
2024-11-06 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSC360N15NS3 G-VB 是一款高电压 N-Channel MOSFET,封装为 DFN8(5x6)。它能够承受高达 150V 的漏源电压,并提供稳定的电流处理能力,适合
2025-01-09 10:53 微碧半导体VBsemi 企业号
。 AP360X 充电电流有 0.5A 和 1A 两个版 本,手电筒最大输出电流为 1.8A,也可以通 过外扩 PMOS 管实现大于 1.8
2023-10-09 15:21 深圳世微半导体有限公司 企业号
: N+P—Channel沟道- 额定电压: ±100V- 额定电流: 4.6A (正向), -3.4A (反向)- 开态电阻 (RDS(ON)): 95mΩ (正向)
2024-02-19 10:57 微碧半导体VBsemi 企业号