1、CCM 模式开关损耗 CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?
2022-10-19 10:39
MOS 管的开关损耗对MOS 管的选型和热评估有着重要的作用,尤其是在高频电路中,比如开关电源,逆变电路等。
2023-07-23 14:17
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
2023-07-17 16:51
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43
一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的
2019-06-27 10:22
开关过程中,穿越线性区(放大区)时,电流和电压产生交叠,形成开关损耗。其中,米勒电容导致的米勒平台时间,在开关损耗中占主导作用。
2023-01-17 10:21
在导通数据中,原本2,742µJ的开关损耗变为1,690µJ,损耗减少了约38%。在关断数据中也从2,039µJ降至1,462µJ,损耗减少了约30%。
2020-07-17 17:47
上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗
2023-02-23 10:40