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  • STD4NK60ZT4一款N沟道600 V,1.7 Ω 内阻,4A超级MESH功率MOS管

     器件描述:漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 50uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景:适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等,可用于电源因数校正(PFC)电路中

    2023-08-21 10:49 深圳上大科技 企业号