将ZnO:Al薄膜织构化与沉积条件的依赖性分开是优化ZnO作为太阳能电池中的光散射、透明接触的一个重要方面。对于给定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和形状可以通过改变各种酸的温度和浓度来控制。凹坑
2022-05-23 16:51
ZnO是一种宽带隙半导体，可掺杂为透明导电氧化物(TCO)，用于无机和有机光伏器件，为了更好地理解ZnO薄膜的腐蚀过程，我们华林科纳发现了一种原子力显微镜(AFM)重新排列腐蚀步骤的方法，使用这种
2022-05-09 13:28
采用溶胶-凝胶自旋涂层法制备了氧化锌和ZnO-CuO复合薄膜，测定了其在100~500°C之间的电导率和还原气体灵敏度。随着氧化锌薄膜厚度的线性增加，晶粒尺寸增大，薄膜密度变大。其结果是，电导率
2022-02-10 15:05
本文介绍了我们华林科纳研究了蚀刻时间和氧化剂对用氢氧化铵(铵根OH)形成的多孔氧化锌（氧化锌）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影响。在本工作中，射频磁控管溅射的ZnO薄膜在氢氧化铵(NH4OH)溶液中腐蚀，全面研究了刻蚀时间和添加H2O2溶液对多孔ZnO薄膜表面形貌和
2022-05-09 15:19
宽带隙半导体具有许多特性，这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液中
2022-07-06 16:00
在低电场区域,流过ZnO非线性电阻的泄漏电流小于1mA.泄漏电流不仅与施加的电压幅值有关,而且与温度高低有关。图2.6表示温度对泄漏电流的影响,温度越高,电子在电场作用下定向的运动就越激烈,导致泄漏电流增大。因此温度升高将导致电阳值下降,即ZnO 电阻呈现负温度特
2024-06-14 07:18
引言 ZnO作为II-VI半导体材料，室温下具有3.34 eV的宽带隙能和较大的激子结合能(60 mV)，是一种具有光电应用潜力的材料。人们从理论和实验上研究了氧化锌纳米结构。科学家和工程师认为
2022-01-12 09:55
声表面波（SAW）技术由于其小型化、便携性、与微电子集成的潜力以及无源/无线等优点，已被广泛用于紫外（UV）检测。为了提高紫外灵敏度，纳米线（nanowires，NWs），例如ZnO，由于其高度多孔
2022-11-29 15:19
摘要 FeCl3·6h2o用于单晶氧化锌薄膜的湿法蚀刻。该方法对抑制用酸蚀刻氧化锌薄膜时通常观察到的“W”形蚀刻轮廓有很大的影响。通过触控笔轮廓仪和扫描电子显微镜证实，在广泛的蚀刻速率下获得了“U”形轮廓和光滑的表面形态。由x射线光电子光谱检测到的铁沉积被推测是形成合适的溶液水力学参数的原因。超声处理容易去除沉积层，使过程易于控制。这些结果表明，该方法在处理氧化锌基光电器件方面具有广阔的应用前景。 介绍 各种蚀刻剂，如
2022-01-26 14:46
射频识别（Radio Frequency Identification，RFID）技术是通过无线电信号查询目标并读取相关数据的一种通信技术，查询系统与待测目标之间不需要直接接触就能识别［1］。
2019-12-25 14:24
