TTM Technologies 的 1M710S 是一款定向耦合器,频率为 3.3 至 3.7 GHz,耦合 10.5 dB,耦合变化 ±0.80 dB,频率灵敏度 ±0.2 dB,方向性 20
2023-08-16 09:53 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**IRFS710B-VB** 是一款高压单极N沟道MOSFET,封装为TO220F。该MOSFET专为高压应用设计,具有650V的漏极-源极耐压和30V的栅极-源极耐压
2025-09-09 17:36 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC710是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益和-20 dBc的边带抑制性能。 HMC710采用驱动放大器
2025-02-10 17:02 深圳芯领航科技有限公司 企业号
MSD710硅阶跃恢复二极管MSD-700 系列步进恢复二极管是外延硅变容二极管,可在谐波发生器应用中提供高输出功率和效率。严格的材料和工艺控制可实现高再现性。独特的二氧化硅钝化工艺可确保在高温下
2023-02-22 16:00 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### IRFI710GPBF-VB MOSFET 产品简介IRFI710GPBF-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于高电压的开关应用。该器件具有650V的漏源电压和4A
2025-09-09 16:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:J133-Z-T1-VBJ133-Z-T1-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用TO252封装,设计用于中高电压应用。该MOSFET采用Trench技术,具备低导通电
2025-09-28 11:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### K1748-Z-T1-VB 产品简介K1748-Z-T1-VB是一款高性能单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压高功率应用设计。其最大漏源电压(VDS)可达60V,适合各种电源
2025-09-29 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号