HMC383是一款通用型GaAs PHEMT MMIC驱动放大器，工作频率范围为12至30 GHz。 该放大器采用+5V电源，增益为16 dB，饱和功率为+18 dBm。 在整个工作频带内具有一致
2022-12-29 16:23 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**型号：2SJ383-VB**2SJ383-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO252封装，具备高性能和可靠性。其采用槽沟道（Trench）技术，结合了高导通电流和低导通电
2024-07-15 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、62YW-VB产品简介62YW-VB是一款双N+N沟道MOSFET，采用SOT23-6封装，由VBsemi生产。该器件适用于低压应用，具备20V的漏源电压和6A的最大漏极电流能力。采用
2024-11-16 11:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 61YW-VB MOSFET 产品简介61YW-VB是一款双N+N沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。由VBsemi采用Trench技术制造，具有低导通电阻和适中的电流承载能力
2024-11-16 11:25 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC383LC4是一款通用GaAs PHEMT MMIC驱动放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器采用+5V单电源，增益为15 dB，饱和功率为+18 dBm。 在整个工作频带
2025-02-17 10:52 深圳芯领航科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**58YW-VB**58YW-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT23-6封装。它具有漏源极电压（VDS）为60V的特性，适合中高压应用。采用Trench技术制造，具备
2024-11-14 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
XR-A383-0804D 产品介绍产品概述XR-A383-0804D是一款高性能的电源管理解决方案，专为多种应用设计，包括通信设备、工业控制系统和消费电子产品。该器件具有高效率、低静态功耗和广泛
2024-10-15 10:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
1. **产品简介：** 46YW-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道场效应管。其丝印标识为 VB7322。该器件采用 SOT23-6 封装，具有稳定可靠的性能
2024-05-21 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介43YW-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用SC70-3封装。该器件具有20V的漏源电压（VDS）、±12V的栅源电压（VGS）、0.5~1.5V的栅极
2024-11-08 14:39 微碧半导体VBsemi 企业号
