KR905P代替WPM1481，FDMA905P----封装DFN2X2-6L，P沟道。 相关参数： VDS = -12VVGS=±8，ID = -15A RDS(ON)
2017-03-23 09:14
描述单P沟道，-30 V，-4.4A，功率MOSFETWPM3407采用先进的沟槽技术提供 具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。 该设备适用于用于DC-DC转换应用。 标准产品WPM3407是无铅
2021-11-10 12:20
说明WPM3401是P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管高单元密度，DMOS沟槽技术。这么高密度过程特别适合于最小化耐受状态。 这些设备特别适合适用于低压应用，笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路
2022-01-11 12:33
说明WPM3401是P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管高单元密度，DMOS沟槽技术。这么高密度过程特别适合于最小化耐受状态。 这些设备特别适合适用于低压应用，笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路
2021-12-31 08:23
WPM3021-8/TR
2023-03-28 18:07
WPM6207-3/TR
2023-03-29 16:26
描述单P沟道，-30 V，-4.4A，功率MOSFETWPM3407采用先进的沟槽技术提供 具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。 该设备适用于用于DC-DC转换应用。 标准产品WPM3407是无铅
2021-11-17 06:41
WOOD PUSH MT HVY
2023-03-22 22:53
WPMM1A03A - Wireless Panel-Mount Monitor - Honeywell Solid State Electronics Center
2022-11-04 17:22
2023-12-06 13:46
