### 10N10EL-VB 产品简介:10N10EL-VB 是一款单路 N-沟道场效应管,采用 TO252 封装,主要特点包括:- **VDS(漏极-源极电压)**:100V,适用于中等电压
2024-07-04 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介10N10-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET,采用了槽沟工艺(Trench Technology)。它具有100V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的门极-源极电压
2024-07-04 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
10N10SC-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET,具有100V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,±),以及1.8V的阈值电压(Vth)。其在VGS=4.5V
2024-07-04 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 083N10N-VB 产品简介083N10N-VB 是一款 TO263 封装的单路 N 沟道 MOSFET,具有 100V 的漏极-源极电压(VDS)和 ±20V 的门源极电压(VGS
2024-07-03 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号