1.概述W9412G6KH是CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器（DDRSDRAM）；组织为200万字 4个银行 16位。W9412G6KH提供高达每秒400M字的数据带宽。为了完全符合
2024-03-28 10:15 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W9864G6JH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字 4个银行 16位。W9864G6JH提供高达每秒200M字的数据带宽。对于不同的应用，W9864G6
2024-03-27 17:57 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W9812G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为2M个字 4个银行 16位。W9812G6KH可提供高达每秒200M字的数据带宽。为了完全符合个人计算机工业标准
2024-03-27 10:44 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W9825G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为4M字 4个银行 16位。W9825G6KH可提供高达每秒200M字的数据带宽。为了完全符合个人计算机行业标准
2024-03-25 15:49 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W9864G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字 4个银行 16位。W9864G6KH提供高达每秒200M字的数据带宽。对于不同的应用，W9864G6
2024-03-26 18:13 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W9825G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为4M字 4个银行 16位。W9825G6KH可提供高达每秒200M字的数据带宽。为了完全符合个人计算机行业标准
2024-03-25 15:38 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 9412AGH-VB MOSFET#### 一、产品简介9412AGH-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造。其封装为TO252（DPAK），具有良好的散热
2024-11-23 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
1.概述W9425G6KH是一种CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器（DDRSDRAM），组织为4194304个字 4个银行 16位。W9425G6KH可提供高达每秒400M个字的数据带宽
2024-03-28 15:19 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 一、9412GI-VB 型号的产品简介VBsemi 9412GI-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造。该MOSFET具有极低的导通电阻和高电流承载能力，适合用于高功率
2024-11-23 14:41 微碧半导体VBsemi 企业号
1.概述W9725G6KB是一个256M位DDR2 SDRAM，组织为4194304个字 4个银行 16位。该器件实现了高达1066Mb/sec/pin（DDR2-1066）的高速传输速率
2024-03-28 10:53 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
