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  • Flyback主电路中哪些元器件需要我们设计?电源用什么拓扑结构?

    MOSFET关断时,当Vds超过RCD缓冲电路中的电容两端的电压VSN时,缓冲二极管导通.尖峰电流被RCD电路吸收,从而削减了尖峰电流. 缓冲电容一定要足够大,才能保证在一个开关周期内电容两端的电压没有显著变化.但是吸收电容太大,也会增加缓冲电路的损耗。必须折中。

    2018-05-09 08:32

  • RCD吸收计算结果为何与实际差别大?

    上面只计算了电阻 Rsn 的数值,而没有算 Csn。是因为实际上电容的角色在这个线路中并不重要,本身也并不吸收(消耗)能量。只要数值取稍大一点就行了,对 Vsn 和 Rsn的大小也没有什么影响。有些网友在实验的时候,一会儿改电容 Csn,一会儿改电阻 Rsn,是对线路的理解不太够。

    2018-11-27 09:31