隔离耐压（VISO）：基本隔离和≤3,000 VRMS是否足以满足您的设计要求？或者设计要求需要≥5,000 VRMS？本规范通常由系统的法规要求设置，代表隔离器可坚持至少60秒不被电压击穿。
2020-11-03 17:42
对比实验 1. 初级 VCC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容各为约 500pF (参考图 2 和图 10)。 分立器件只有 10μF 储能电容， 无去耦电容
2022-01-04 11:38
这种电隔离驱动器的绝缘测试电压达到VISO=2500Vrms，60秒，通过了UL577认证。并且具备高达1000kHz的高开关速度，因此它们不仅能驱动IGBT，而且可以作为SiCMOSFET的驱动。
2018-06-20 14:12
端子连接到一起，接至高压源高端，基板接至测试仪器低压端。高阻抗高压源必须提供需要的绝缘测试电压Viso，将测试电压逐渐提升至规定值，该值可由下式确定并保持规定的时间t，然后将电压降为0。对于内部带有NTC的IGBT模块，可通过在接地的NTC与其他连
2023-09-08 08:58
辐射干扰的强弱，电流环路越大，辐射越强。 PCB 布线时需要最大程度地缩小电流路径的环路面积。 输入 VCC 及输出侧 VISO 的储能电容及耦合电容位置放尽可能摆放在靠近芯片的管脚位置， 以减少环路面积和 PCB 走线的寄生电感， 一般应控制在 2mm 以内。 储能电容 10μ
2021-12-31 10:58
