在IGBT驱动电路中有时会用到钳位电路，其主要目的是为了保护IGBT器件，避免运行参数超过集电极或者门极的极限参数，今天我们总结一下Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项。
2023-02-07 15:58
在关断IGBT过程中，IGBT电流急剧变化，由于有寄生电感的存在，会在IGBT上产生电压尖峰 Vce（peak） = Vce + L * di/dt，如图1所示。
2021-03-15 15:39
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于饱和状态下Vce
2023-06-05 14:26
如图，为什么在Vce下降前ic就开始上升了呢？
2023-05-29 10:19
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢? 三极管ON状态时工作于饱和区
2018-01-22 07:21
IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51
部件。为保障电磁炉的可靠稳定工作，我们主要为IGBT提供过热、过流、过压三种保护：IGBT的导通损耗主要由IGBT可靠导通时C、E极间的电压VCE（sat）决定，VCE（sat）越小，导通损耗越小，而
2018-03-22 10:06
技术委员会IEC该标准还指出，在功率循环、热阻或瞬态热阻抗试验中或瞬态热阻抗试验VGE(th)(T)法律(以下简称VGE(th)(T)或小电流饱和压降VCE(T)法律(以下简称VCE(T)法)测量结温。
2023-02-06 12:27
我们称之为“一类短路”，一般为桥臂直通导致的，硬件或软件失效造成的，此时短路回路中的电感量很小(100nH)，一般我们会采用VCE(sat)检测来实现短路保护。
2024-02-18 13:59
电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。
2019-06-28 09:42
