本文先简单介绍VBE标准,然后结合一个具体设计,给出如何利用VBE标准实现遥感图像实时滚动显示。
2021-06-04 06:36
网上说NPN三极管的基极和发射极之间的压差Vbe是静态的,大概是0.7,但是我仿真出来不是这样,请看下图A通道测量Vbe的静态值大概是0.7v,B通道测试Vbe是否是动态。
2019-12-13 22:48
我想调用导通电压VBE=0.3V或者0.7V的三极管,请问应该怎么设置?
2024-12-09 06:05
如下图,当输出电压+B端电压增加时,三极管VT553的Vb增加;Ve不变,从而Vbe增加;请问Vc会如何变化?资料上说Vbe增大加速导通从而Vce减小。请问Vbe和Vce是什么关系,看三极管特性曲线推不出这个关系。
2019-07-02 09:54
如下图,当输出电压+B端电压增加时,三极管VT553的Vb增加;Ve不变,从而Vbe增加;请问Vc会如何变化?资料上说Vbe增大加速导通从而Vce减小。请问Vbe和Vce是什么关系,看三极管特性曲线推不出这个关系。
2019-06-25 09:37
TR的情况,除此之外,还有5V以下(突破此耐压范围,会发生hFE低下等特性的劣化,请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义:是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-04-09 21:27
TR的情况,除此之外,还有5V以下(突破此耐压范围,会发生hFE低下等特性的劣化,请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义:是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-05-09 23:12
R3是负载,R1限制电流最大在Vbe/30Ω 这个图的接法我能理解,电流过大时Q1限制了R1上电压最大是Vbe,所以电流最大就是Vbe/30Ω 那为什么下面这个图的接法不可以,而且负载电阻调大也不正常工作 另外还有就
2025-01-13 20:17
特点:1.电流源Q2输出的电压范围很宽,可以在VCC和零点几伏之间工作;2.可以用一个电流Ip来控制电流I;缺点:由于Early效应存在,在Q2中一个固定的电流,Vbe会随着集电极电压发生微小变化
2021-12-31 06:52
回顾一下IGBT的工作原理,首先Gate控制MOSFET导通,产生Drain-to-Source的电流,而这个电流同时也是BJT的基区电流(Ib),而Ib*Rb就是BJT的Vbe,所以只要
2023-02-08 16:50