本文先简单介绍VBE标准，然后结合一个具体设计，给出如何利用VBE标准实现遥感图像实时滚动显示。
2021-06-04 06:36
网上说NPN三极管的基极和发射极之间的压差Vbe是静态的，大概是0.7，但是我仿真出来不是这样，请看下图A通道测量Vbe的静态值大概是0.7v，B通道测试Vbe是否是动态。
2019-12-13 22:48
我想调用导通电压VBE=0.3V或者0.7V的三极管，请问应该怎么设置？
2024-12-09 06:05
如下图，当输出电压+B端电压增加时，三极管VT553的Vb增加；Ve不变，从而Vbe增加；请问Vc会如何变化？资料上说Vbe增大加速导通从而Vce减小。请问Vbe和Vce是什么关系，看三极管特性曲线推不出这个关系。
2019-07-02 09:54
如下图，当输出电压+B端电压增加时，三极管VT553的Vb增加；Ve不变，从而Vbe增加；请问Vc会如何变化？资料上说Vbe增大加速导通从而Vce减小。请问Vbe和Vce是什么关系，看三极管特性曲线推不出这个关系。
2019-06-25 09:37
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-04-09 21:27
TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化关于封装功率容许功定义：是指由于输入晶体管的电压、电流
2019-05-09 23:12
R3是负载，R1限制电流最大在Vbe/30Ω 这个图的接法我能理解，电流过大时Q1限制了R1上电压最大是Vbe，所以电流最大就是Vbe/30Ω 那为什么下面这个图的接法不可以，而且负载电阻调大也不正常工作 另外还有就
2025-01-13 20:17
特点：1.电流源Q2输出的电压范围很宽，可以在VCC和零点几伏之间工作；2.可以用一个电流Ip来控制电流I；缺点：由于Early效应存在，在Q2中一个固定的电流，Vbe会随着集电极电压发生微小变化
2021-12-31 06:52
回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to-Source的电流，而这个电流同时也是BJT的基区电流(Ib)，而Ib*Rb就是BJT的Vbe，所以只要
2023-02-08 16:50
