电源设计工具在不断改进，仿真越来越能够在调节、效率和由此产生的损耗方面输出准确的波形和性能。不过有一个小问题：模拟器只能使用你告诉它的内容——软件很聪明，但它不会为你选择功率晶体管，它当然也不会告诉你是否选择了不是最佳的，甚至在正常的电路应力下会损坏。
2023-02-21 09:23
比较SiC开关的数据手册可能很困难。SiC MOSFET在导通电阻温度系数较低的情况下似乎具有优势，但与UnitedSiC FET相比，这表明潜在的损耗更高，整体效率低下。
2023-02-21 09:24
以及几个变量。 UnitedSiC 推出了 FET-Jet 计算器 ，这是一种在线工具，用于选择和比较不同电源应用的性能。 计算机 让我们来看看它的一些值得注意的功能： 在各种基于功率的应用中轻松评估全系列 UnitedSiC FET 和二极管； AC-DC：PF
2022-08-04 09:37
比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。
2022-11-14 09:05
为了提供这种灵活性，UnitedSiC 提供了额外的第 4 代 750V SiC FET，导通电阻为 23、33 和 44 毫欧，以及 6、9 和 11 毫欧的部件，这是对已经推出的 18 和 60
2023-02-21 09:29
