### 产品简介AUIRFR8401TRR-VB 是一款采用 TO252 封装的单极性 N 沟道 MOSFET，具有高达 40V 的漏源电压和 120A 的连续漏电流能力。该 MOSFET
2025-01-06 10:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### AUIRLR2908TRR-VB MOSFET产品简介AUIRLR2908TRR-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，封装类型为TO252。该MOSFET采用Trench技术，专为高电压
2025-01-06 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：**型号：** IRFR4105TRR-VB **丝印：** VBE1638 **品牌：** VBsemi **封装：** TO252
2024-06-07 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AUIRFR5505TRR-VB** 是一款高性能单通道 P 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-252。采用 Trench 技术，具有良好的开关特性和低导通电阻，适用于负载
2025-01-04 17:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### AUIRLR2703TRR-VB 产品简介AUIRLR2703TRR-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用了先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和优异的开关特性。其封装形式为
2025-01-06 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是AUIRLR3105TRR-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明：### 产品简介：AUIRLR3105TRR-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管，封装为TO252
2024-05-28 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：** AUIRFR5410TRR-VB **封装：** TO252 **配置：** 单级P沟道 **技术：** 沟槽技术
2025-01-04 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AUIRFR4104TRR-VB** 是一款高性能的单N通道MOSFET，采用TO252封装，具有优异的开关特性和低导通电阻。其最大漏极源极电压（VDS）为40V，门源极电压
2025-01-04 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AUIRFR8405TRR是一款高性能单N沟道场效应晶体管（MOSFET），封装为TO-252。该器件采用沟槽技术，专为高电流和低导通电阻应用设计。具有40V的漏极-源极电压（VDS
2025-01-06 10:45 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**AUIRLR2905TRR-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管，具有60V的漏极-源极电压承受能力，最大漏极电流为45A，漏极-源极电阻在10V下为24mΩ。该器件的门极
2024-05-28 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
