TrenchFET® IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON)
2013-12-31 11:45
是TrenchFET（如图1所示）。图1 MOSFET结构比较 TrenchFET技术的广泛使用是由于它替代平面技术的特定管芯尺寸下具有极低的导通电阻,唯一的不足就是寄生电容通常会有所增加。面积比较大的沟道墙
2012-12-06 14:32
：不含卤素，符合 IEC 61249-2-21 规定TrenchFET® 功率 MOSFET典型 ESD 保护:800V符合 AEC-Q101经 100% Rg 和 UIS 测试VDS(V)：-60VID(A):-2.9应用：车载/汽车电子`
2019-07-09 17:30
