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型号：9N<b class='flag-s-7'>80L-TF</b>1-T-VB 品牌：微碧

### 9N80L-TF1-T-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9N80L-TF1-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，适用于高压应用，具备850V的漏源极电压额定值。该型号采用

2024-11-27 11:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：7N<b class='flag-s-7'>80L-TF</b>3-T-VB 品牌：微碧

### 一、7N80L-TF3-T-VB 产品简介7N80L-TF3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装形式为TO220F。具有高达800V的耐压能力

2024-11-21 13:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：10N<b class='flag-s-7'>80L-TF</b>2-T-VB 品牌：微碧

### 10N80L-TF2-T-VB 产品简介10N80L-TF2-T-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。这款MOSFET具有800V的漏源极电压（VDS），能够

2024-07-05 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：7N<b class='flag-s-7'>80ZL-TF</b>1-T-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介VBsemi 7N80ZL-TF1-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，设计用于高压和高性能的电源管理和开关电路应用。具有800V的最大漏源电压和低导通电

2024-11-21 13:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：8N<b class='flag-s-7'>80L-TF</b>3-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介**8N80L-TF3-T-VB**是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于需要高电压承载能力的应用。该器件具有较高的漏极-源极电压（VDS）和适中的电流处理能力

2024-11-22 17:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：7N<b class='flag-s-7'>80L-TF</b>1-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介**7N80L-TF1-T-VB**是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。它采用SJ_Multi-EPI技术设计，具有高电压承受能力和稳定性，适用于需要处理高电压和中等

2024-11-21 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：6N<b class='flag-s-7'>80L-TF</b>1-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介6N80L-TF1-T-VB 是一款高压单通道 N 型 MOSFET，采用 TO220F 封装。它具有优秀的电压承受能力和低导通电阻，适用于需要高稳定性和高效能的电源和控制

2024-11-18 16:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：3N<b class='flag-s-7'>80L-TF</b>1-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：** 3N80L-TF1-T-VB  **封装：** TO220F  **配置：** 单一N沟道MOSFET  **主要参数：**- 漏源电压

2024-11-07 16:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>TF</b>-017 品牌：汉博

产品名称：全塑简易TF卡座操作方式：简易式温度范围：-40°C TO +80°C操作寿命:5,000Cycles包装方式：卷带最小包装：1000/PCS   

2021-11-05 17:04 汉博电子 企业号

型号：8N<b class='flag-s-7'>80L-TF</b>2-T-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介VBsemi 8N80L-TF2-T-VB 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），采用TO220F封装。它具有高达800V的漏极电压承受能力和770mΩ的低导通电阻。### 二

2024-11-22 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号