）（±V），3V的阈值电压（Vth），19mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及50A的漏极电流（ID）。采用了沟道技术（Trench Techno
2024-07-09 14:29 微碧半导体VBsemi 企业号
的阈值电压（Vth），以及在VGS=10V时为4mΩ的导通电阻（RDS(ON)），并且能够承受150A的漏极电流（ID）。该产品采用槽道技术（Trench Techno
2024-07-02 16:53 微碧半导体VBsemi 企业号
值）、3.5V的阈值电压（Vth）、1100mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及7A的漏极电流（ID）。采用了平面工艺（Plannar Techno
2024-07-03 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号
