想请问一下大佬们，在sentaurs TCAD中sdevice部分的parameter 文件中设置一个在原来系统中没有的材料要怎么做呀？就是在知道这个材料性质的情况下，我们要如何设置这个材料呢？
2022-04-19 23:22
我最近在做SRAM的仿真模拟，用的是Sentaurus TCAD套件中的Sprocess，进行工艺仿真。但是一直遇到一样的问题，仿真跑到一半就自动停止了，并提示了如下错误：Error: Child
2020-11-18 17:40
嗨，我正在使用两个使用级联链路连接的DSP48切片来执行所需的操作。我想尝试多泵操作以有效地使用DSP48切片。请提供DSP48 slice中的Multipumping示例。提前致谢
2019-08-06 10:42
本人刚开始接触这里面的晶粒变化，十分的懵懂，想请教一下各位懂的大佬，如果有会的大佬看见了，可以稍微提携一下小弟，十分感谢！
2021-10-28 21:53
VCS是什么？有何功能？ClockTree Compiler是什么？有何功能？
2021-10-14 12:34
VDMOS的基本原理一种减小寄生电容的新型VDMOS结构介绍
2021-04-07 06:58
IGBT工艺技术。为了提供与工艺条件的一致性，结构直接来自DIOS，随后使用TCAD模拟软件进行分析［6］。我们非常小心地确保测量的扩散阻力曲线与模拟曲线之间的紧密配合。由于SIPOS是半电阻层，难以在
2023-02-27 09:32
大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言，其未来会怎样呢?
2019-09-27 06:59
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率MOSFET技术的过程中，以往常见以QG和QGD(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)为基础的因子(FOM)已无法满足需求，若坚持采用固定因子，将可能导致技术选择无法达成优化。通过此次分析的启示，工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念，是DC-DC转换器的理想选择；相较于横向和分裂闸极沟槽MOSFET等竞争技术，该技术可同时提供特定的低RDS(on)、QG、QGD、QOSS和高度闸极回跳抑制。
2019-07-04 06:22
