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2025-09-19 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### SWF6N65-VB MOSFET 产品简介SWF6N65-VB 是一款高电压、低功率损耗的 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压应用设计，最大漏源电压为 650V
2025-09-19 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### **SWF10N60-VB - 产品简介**SWF10N60-VB 是一款采用 TO220F 封装的高性能 N-沟道 MOSFET，设计用于高压功率控制和电源管理应用。其具有 650V
2025-09-19 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. **SWF7N65-VB 产品简介**SWF7N65-VB 是一款 **650V N-Channel MOSFET**，采用 **TO220F** 封装，并使用 **Plannar
2025-09-19 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### SWF12N65B-VB MOSFET 产品简介SWF12N65B-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压应用设计，具有最大漏源电压 (V_DS) 为
2025-09-19 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### **SWF4N65-VB - 产品简介**SWF4N65-VB 是一款采用 TO220F 封装的 N-沟道 MOSFET，具有 650V 的最大漏源电压（VDS），适用于高压功率转换和电源
2025-09-19 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### SWF10N65-VB MOSFET 产品简介SWF10N65-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压、高电流应用而设计，具有 650V 的最大漏源
2025-09-19 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**SWF4N60A-VB** 是一款 **TO220F 封装** 的 **单 N 型通道 MOSFET**，采用 **Plannar 技术**，具有 **650V 的漏源电压
2025-09-19 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：SWF7N60A-VB MOSFETSWF7N60A-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极N沟道功率MOSFET，专为高电压应用而设计。其最大漏极源极电压（VDS）为
2025-09-19 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：SWF12N65-VB MOSFETSWF12N65-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极N沟道功率MOSFET，专为中高电压应用设计，具有 650V 的最大漏源电压（VDS
2025-09-19 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
