电子发烧友
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ST扩大采用第六代STripFET™技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。
2011-06-20 09:02
汽车电动化和数字化的大趋势包括区域控制架构、功率芯片驱动数字化、电池管理系统、功率电子和电源/能源管理。
2023-02-06 13:48
意法半导体近期推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管系列。该系列晶体管融合了强化版沟槽栅技术的优势，并具备出色的抗噪能力，专为非逻辑电平控制的应用场
2024-12-11 14:27
) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此
2023-05-26 14:11
意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。
2022-06-24 16:40
、电机控制和配电电路的能耗和噪声。 新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为
2022-06-24 09:57
中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08
相比（stripfet功率mosfet，Vdss-100V，Ids - 25 A，Rds-35mOhm，Qg-14nC） 该器件采用28 V DC电源，Vboot-Vs = 10.5 V
2018-11-19 10:15
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）扩大采用第六代STripFET技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。 最新的STripFET
2017-12-01 11:47
意法半导体推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。
2025-01-16 13:28
