(ON)):2560mΩ @ 10V- 门源电压范围(Vgs):20V(正负)- 阈值电压(Vth):3.8V- 封装:TO220F应用简介:STP3NK60ZFP-VB是一款高
2023-12-14 10:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi的1NK60Z-VB是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。它采用
2024-07-09 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi STD3NK60Z-1-VB MOSFET 参数:- 封装:TO251- 沟道类型:N—Channel- 最大电压:650V- 最大电流:2A- RDS(ON):4300m
2024-02-03 13:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、20NK50Z-VB产品简介20NK50Z-VB是VBsemi公司推出的一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有高电压和高电流处理能力。该器件设计用于要求高电压
2024-07-09 16:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、21NK50Z-VB 产品简介21NK50Z-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO263,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高压(650V)和高电流(20A)处理能力
2024-07-09 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号
**详细参数说明:**- **型号:** STD3NK50Z-VB- **丝印:** VBE165R04- **品牌:** VBsemi- **封装:** TO252- **沟道类型
2024-02-20 09:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 24NK55Z-VB 产品简介24NK55Z-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,设计用于要求高电压和高电流的应用。采用了 SJ_Multi-EPI 技术,具有低导通电阻和高漏极
2024-07-10 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的12NK65Z-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导
2024-07-05 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号