用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件
2023-09-05 06:59
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器
2023-09-05 07:32
DGTLISO2.5KVGATE24SOIC
2023-04-06 09:47
DGTLISO2.5KVGATE24SOIC
2023-04-06 09:47
STGAP2SMTR
2023-04-06 23:33
STGAP2SICSNTR
2023-04-06 23:29
STGAP2HSCMTR
2023-04-06 23:34
STGAP2DMTR
2023-03-29 21:36
STGAP2SCMTR
2023-03-29 21:55
STGAP2HSMTR
2023-03-29 21:36
