瑞萨电子株式会社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋层上覆硅）工艺的新型嵌入式闪存低功耗技术，可提供1.5MB容量，是业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属氧化氮氧化硅）闪存.
2019-06-15 10:01
会展中心（福田）5楼牡丹厅隆重举行。瑞萨电子（中国）有限公司技术支持经理王乾最后登场为大家带来《先进制程工艺助力智能环保型社会创建》主题报告。在演讲报告中SOTB制程工艺多次被提及。
2020-11-02 14:35
这款基于瑞萨独有的SOTB™制程工艺的能量收集嵌入式控制器产品获得年度微控制器产品奖。
2019-11-14 15:54
新款手表采用的RE产品家族控制器基于瑞萨独有SOTB™制程工艺，在工作和待机模式下均达到业界领先的超低功耗水平。
2020-03-19 08:00
基于硅晶薄氧化物埋层（SOTB）工艺技术的RE产品家族，在运行和待机模式下均可实现超低电流消耗，而传统主流硅工艺无法做到这一点。RE01已通过EEMBC认证，在EEMBC ULPMark基准测试中
2021-05-17 11:23
与差异化方面的投入。瑞萨电子通过提供嵌入式人工智能、超低功耗的工艺SOTB（Silicon On Thin Buried Oxide，薄氧化埋层上覆硅）等有竞争力的产品和技术，力争为客户提供更加优化的综合解决方案。
2018-09-21 10:53
是一款基于64-MHz Arm ® Cortex ® -M0 的微控制器，采用世界上最好的超低功耗硅薄埋氧化物 （SOTB） 工艺技术，使其成为能量收集应
2022-04-29 09:40
