瑞萨电子株式会社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋层上覆硅）工艺的新型嵌入式闪存低功耗技术，可提供1.5MB容量，是业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属氧化氮氧化硅）闪存.
2019-06-15 10:01
来源：瑞萨电子全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布，基于瑞萨独有的SOTB™（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋层覆硅）制程工艺
2020-10-22 16:47
会展中心（福田）5楼牡丹厅隆重举行。瑞萨电子（中国）有限公司技术支持经理王乾最后登场为大家带来《先进制程工艺助力智能环保型社会创建》主题报告。在演讲报告中SOTB制程工艺多次被提及。
2020-11-02 14:35
2024-04-01 15:05
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