SMU_CORE 和 SMU_Stdby 的设计方式和时间安排各不相同。SMU 的两个部分之间存在物理隔离。它们位于不同的时钟和电源域中。这允许 SMU 处理任何传入的
2024-02-27 10:32
本文探讨了4201-SMU和4211-SMU可以进行稳定的弱电流测量的多种应用实例，包括测试：平板显示器上的OLED像素器件、长电缆MOSFET传递特点、通过开关矩阵连接的FET、卡盘上的纳米FET I-V测量、电容器泄漏测量。
2019-12-09 15:03
近日，基于美国国家仪器 (National Instruments，以下简称“NI”) 的PXI源测量单元 (SMU)，专注利用人工智能驱动半导体测试测量的北京博达微科技有限公司 (简称“博达微
2018-01-24 14:27
RDC是用直流欧姆表测量的扬声器直流电阻。在扬声器/重低音喇叭数据手册中，该直流电阻通常称为DCR。直流电阻测量值通常小于驱动器的标称阻抗Z NOM。
2019-06-04 17:25
半导体材料研究和器件测试通常要测量样本的电阻率和霍尔电压。半导体材料的电阻率主要取决于体掺杂，在器件中，电阻率会影响电容、串联电阻和阈值电压。霍尔电压测量用来推导半导体类型（n还是p）、自由载流子密度和迁移率。
2020-01-15 11:18
某些SMU针对特定的应用或者需求作了优化，例如泄露测试、大功率IV扫描、为具有快速瞬态响应的移动设备供电。 这些仪器完美地提供了某一特定的功能，但是您可能需要多个这样的SMU来完全分析需要各种
2020-05-15 09:48
针对设备选用具有适当电压电流范围的源测量单元（SMU）对于应用的成功至关重要。IV范围通常由图1中象限图来表示，它指的是SMU可以拉或灌的电压和电流值。拉和灌这两个词描述的是设备的功率流入和流出。拉电流的设备可为负载提供电流，而灌电流的设备就像一个负载，被动吸收流
2020-05-15 09:55
源测量单元(SMU) 由于其将可编程电源、可编程负载和DMM的功能集成到一台仪器而日益普及。 然而，大多数工程师只是表面上理解了SMU对其测试系统性能和吞吐量的影响。 为了实现减少成本和测试时间的最终目标，以下七个技巧可让您更快速、更经济地分析和验证产品。
2018-03-14 15:36
纳米材料电学测试方案将在本文中阐述，包括《纳米线/碳纳米管测试方案》、《二维/石墨烯材料测试方案》。纳米材料电学测试SMU 应用场景、测试特点及选型原则的示意图，结合被测纳米材料或纳米电子器件的类型
2021-04-03 09:26
本文依据3GPP技术规范提出LTE及LTE-A Release8/9/10三版本LTE标准，并以实例说明如何利用R&S矢量信号源SMU200A产生LTE/LTE-A测试信号，来测试LTE设备的接收性能。
2013-01-29 11:52
